[发明专利]一种互补型阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710484292.4 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107240642A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 武兴会;崔娜娜;陈朝阳;张秋慧;王克甫;黄全振;黄明明 | 申请（专利权）人： | 河南工程学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司41125 | 代理人： | 孙诗雨,张志军 |
| 地址： | 451191 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型阻变存储器及其制备方法，包括底层导电氧化物电极，设于底层导电氧化物电极上表面的CuO存储介质层，设于CuO存储介质层上表面的ZrO存储介质层，设于ZrO存储介质层上表面的。方法如下采用直流磁控溅射在Si衬底上制备导电氧化物薄膜，采用磁控溅射在导电氧化物薄膜上表面制备CuO存储介质层，采用磁控溅射在CuO存储介质层上表面制备ZrO存储介质层，采用磁控溅射在ZrO存储介质层的上表面制备W电极，本发明是互补型阻变存储器结构，该结构在不需要额外使用二极管或者三极管的情况下解决十字交叉阵列阻变存储器的串扰问题，具有电路简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种互补型阻变存储器，其特征在于，包括：底层导电氧化物电极（1），设于底层导电氧化物电极上表面的CuO存储介质层（2），设于CuO存储介质层上表面的ZrO存储介质层（3），设于ZrO存储介质层上表面的（4）。
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