[发明专利]基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构在审
| 申请号： | 201710460802.4 | 申请日： | 2017-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN107275789A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周晨昱;杨琬琛;车文荃;陈东旭;冯文杰 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q5/10 | 分类号： | H01Q5/10;H01Q5/314;H01Q9/26;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 朱宝庆 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构，包括介质基板、金属地板、金属贴片，金属贴片印制于介质基板的上表面，金属地板设置于介质基板的下表面；金属贴片设置成若干均匀分布的UC‑AMC单元且每一行的相邻UC‑AMC单元的微带分支之间通过一条二氧化钒薄膜相连。本发明涉及的人工磁导体结构能在较低的剖面下实现入射波的大范围频率调谐。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 薄膜 频率 可调 紧凑型 人工 导体 结构 | ||
【主权项】：
一种基于二氧化钒薄膜的频率可调共面紧凑型人工磁导体结构，包括介质基板(4)、金属地板(5)、金属贴片(3)，金属贴片(3)印制于介质基板(4)的上表面，金属地板(5)设置于介质基板(4)的下表面，其特征在于，金属贴片(3)设置成若干均匀分布的UC‑AMC单元(1)且每一行的相邻UC‑AMC单元(1)的微带分支之间通过一条二氧化钒薄膜(2)相连。
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