[发明专利]一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201710455644.3 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107492480A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;董大朋 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连一通专利代理事务所(普通合伙)21233 | 代理人： | 郭丽华 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜，该薄膜自下而上依次为Si衬底、AlN应力调制缓冲层、SiNx掩膜层及GaN外延层。其中AlN应力调制缓冲层是由两层200毫巴压力生长的AlN缓冲层夹着一层100毫巴条件生长的AlN缓冲层，该AlN缓冲层的总厚度为200‑500纳米且100毫巴条件生长的AlN缓冲层厚度为150‑200纳米。由于缓冲层的引入一方面促进了GaN三维岛状生长，提高了晶体的质量，同时生长的GaN其应力也比传统生长的单一缓冲层低，光学特性也有较大的提高，具有缺陷密度低、晶体质量好、残余应力低、光学性能优异等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 aln 压力 调制 缓冲 si gan 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜，其特征在于：该薄膜自下而上依次为Si衬底、AlN应力调制缓冲层、SiNx掩膜层及GaN外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族大学，未经大连民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710455644.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
