[发明专利]一种异性钐钴磁体结构在审
| 申请号： | 201710434579.6 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107068326A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张华川 | 申请（专利权）人： | 张华川 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 437600 湖北省咸宁*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异性钐钴磁体结构，其包括呈内凹的弧形片状钐钴磁体本体、设置在该钐钴磁体本体内端面上的环形内凸台以及设置在该环形内凸台端面上的温度传感器安装孔和位移传感器安装孔，其特征在于所述环形内凸台其端面上沿其弧形方向还分别开设有多条弧形凹槽，每一所述弧形凹槽其槽深为3mm‑6mm，所述弧形凹槽其宽度为1mm‑3mm，并且相邻之间的所述弧形凹槽其间距不小于5mm；与现有技术相比，本方案通过在环形内凸台其端面上沿其弧形方向开设有的多条弧形凹槽结构，可以使得整个异性钐钴磁体结构在加工制作过程中所产生的应力可以得到有效的消除，保证其在后续使用中得以正常运行，具备很好的使用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异性 磁体 结构 | ||
【主权项】：
一种异性钐钴磁体结构，所述异性钐钴磁体结构包括呈内凹的弧形片状钐钴磁体本体、设置在该钐钴磁体本体内端面上的环形内凸台以及设置在该环形内凸台端面上的温度传感器安装孔和位移传感器安装孔，其特征在于：所述环形内凸台其端面上沿其弧形方向还分别开设有多条弧形凹槽，每一所述弧形凹槽其槽深为3mm‑6mm，所述弧形凹槽其宽度为1mm‑3mm，并且相邻之间的所述弧形凹槽其间距不小于5mm。
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