[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、缺陷阻挡层、第一应力释放层、第二应力释放层、第三应力释放层、发光层和P型氮化镓层，缺陷阻挡层为掺杂硅的铝镓氮层，第一应力释放层为掺杂硅的氮化镓层，第二应力释放层包括交替层叠设置的多个第一子层和多个第二子层，第一子层为未掺杂的铟镓氮层，第二子层为掺杂硅的氮化镓层，第三应力释放层为掺杂硅的铟镓氮层；缺陷阻挡层中硅的掺杂浓度低于第一应力释放层，第一应力释放层中硅的掺杂浓度高于各个第二子层，各个第二子层中硅的掺杂浓度低于第三应力释放层。本发明可提高发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，其特征在于，所述外延片还包括缺陷阻挡层、第一应力释放层、第二应力释放层和第三应力释放层，所述缺陷阻挡层层叠在所述N型氮化镓层上，所述第一应力释放层层叠在所述缺陷阻挡层上，所述第二应力释放层层叠在所述第一应力释放层上，所述第三应力释放层层叠在所述第二应力释放层和所述发光层之间；所述缺陷阻挡层为掺杂硅的铝镓氮层，所述第一应力释放层为掺杂硅的氮化镓层，所述第二应力释放层包括多个第一子层和多个第二子层，多个所述第一子层和多个所述第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为未掺杂的铟镓氮层，每个所述第二子层为掺杂硅的氮化镓层，所述第三应力释放层为掺杂硅的铟镓氮层；所述缺陷阻挡层中硅的掺杂浓度低于所述第一应力释放层中硅的掺杂浓度，所述第一应力释放层中硅的掺杂浓度高于各个所述第二子层中硅的掺杂浓度，各个所述第二子层中硅的掺杂浓度低于所述第三应力释放层中硅的掺杂浓度。