[发明专利]一种偏置电流产生电路有效
申请号: | 201710395045.7 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN107203241B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 赵建宾;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳市广联智通科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 518108 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种偏置电流产生电路,属于半导体集成电路技术领域。该电路包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一PNP三极管P1、第二PNP三极管P2、第三PNP三极管P3、第一NPN三极管N1、第二NPN三极管N2和第三NPN三极管N3;第一NPN三极管的个数是第二NPN三极管的N倍,N为大于等于2的整数。由于第一NPN三极管N1和第二NPN三极管N2的个数区别,所以它们的基极和发射极的压差也不同,利用该压差的区别产生一路电流,此电流与电源电压完全无关,通过输出端提供给其它模块。综上所述,该偏置电流产生电路产生的电流与电源电压完全无关,能够满足系统高精度的要求。 | ||
搜索关键词: | 偏置电流产生电路 电阻 电源电压 压差 半导体集成电路 发射极 输出端 电路 | ||
【主权项】:
1.一种偏置电流产生电路,包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第一PNP三极管P1、第二PNP三极管P2、第三PNP三极管P3、第一NPN三极管N1、第二NPN三极管N2;其特征在于,该电路还包括:第三电阻R3和第三NPN三极管N3;第一电阻R1一端接电源VDD,另一端接第一PNP三极管P1和第二PNP三极管P2的发射极;第一PNP三极管P1的基极和集电极相接,并接到第二PNP三极管P2的基极、第一NPN三极管N1的基极和集电极以及第二NPN三极管N2的基极;第二PNP三极管P2的集电极接到第二NPN三极管N2的集电极和第三NPN三极管N3的基极;第一NPN三极管N1的发射极接到第三NPN三极管N3的发射极和第二电阻R2的一端;第二电阻R2的另一端接地;第二NPN三极管N2的发射极接到第三电阻R3的一端;第三电阻R3的另一端接地;第三PNP三极管P3的发射极接电源VDD,基极和集电极接输出端BIAS;第三NPN三极管N3的集电极接输出端BIAS;第一NPN三极管N1的个数是第二NPN三极管N2的N倍,N为大于等于2的整数。
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