[发明专利]一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷在审
| 申请号： | 201710394227.2 | 申请日： | 2017-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN107417275A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 肖谧;娄捷;顾青青;周子淇;韦艳双 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)。先将MgO、ZrO2,SnO2、Nb2O5按MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1050℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1240‑1280℃烧结，制得高性能镁锆锡铌系介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f达94014.2GHz、介电常数为24.9134，谐振频率温度系数为‑43.9345ppm/℃的高性能微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的毫米波电路的微波介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁锆锡铌系 微波 介质 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷，其组成为MgZr1‑xSnxNb2O8,其中0.1≤x≤0.3。上述镁锆锡铌系微波陶瓷的制备方法，具有以下步骤：(1)将MgO、ZrO2,、SnO2、Nb2O5原料，按化学式MgZr1‑xSnxNb2O8，其中0.1≤x≤0.3进行配料，将粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，在球磨机上球磨10小时；(2)将步骤(1)球磨后的原料置于110℃温度干燥箱中烘干，待原料干燥后，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)混合均匀的粉料装入坩埚后置于高温炉中，在1050℃预烧3小时；(4)在步骤(3)预烧后的陶瓷粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，在球磨机上二次球磨10小时，并于110℃温度干燥箱中烘干；烘干后在陶瓷粉料中外加8％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，再用粉末压片机压制成型为坯体；(5)将步骤(4)的坯体于1240‑1280℃烧结，保温4小时，制得镁锆锡铌系微波介质陶瓷。
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