[发明专利]一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途

摘要

本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种PDA/Bi‑AgIn₅S₈/TiO₂异质结光电极及制备方法和用途。首先利用水热合成方法在FTO基片上合成二氧化钛(TiO₂)纳米棒阵列，然后再利用水热合成方法在其之上均匀的形成一层Bi掺杂的Bi‑AgIn₅S₈，最后再使用化学浴沉积法(CBD)在Bi‑AgIn₅S₈表面形成一层连续的聚多巴胺(PDA)。在半导体表面涂覆一层PDA可以阻止其与水溶液的直接接触避免引起严重的光腐蚀，提高半导体稳定性。因此可以解决PEC分解水制氢的过程中，半导体AgIn₅S₈材料极易受到光腐蚀的影响而失活的问题，从而可以保持稳定长久的高产氢速率。

主权项

1.一种PDA/Bi‑AgIn₅S₈/TiO₂异质结光电极，其特征在于，采用如下方法制备：分别取AgNO₃溶液、NH₄NO₃溶液以及In(NO₃)₃溶液充分搅拌后获得含有Ag⁺和In³⁺的混合溶液；将三乙醇胺溶液与含有Ag⁺和In³⁺的混合溶液混合以形成银和铟络合物，紧接着加入硫酸将前驱体溶液的pH值调节为酸性，以避免其发生水解反应形成In(OH)₃沉淀，然后将硫代乙酰胺溶液和氯化铋粉末加入该溶液中搅拌均匀；随后将生长有TiO₂纳米棒阵列的玻璃基片正面朝上放入上述溶液中反应，得到Bi‑AgIn₅S₈/TiO₂异质结光电极；将盐酸多巴胺加入到Tris‑盐酸缓冲溶液中，将Bi‑AgIn₅S₈/TiO₂异质结光电极浸泡在溶液中，浸泡时间分别为1‑5h，最终得到具有不同PDA厚度的PDA/Bi‑AgIn₅S₈/TiO₂异质结光电极材料。