[发明专利]到静电阱的离子注入有效
| 申请号： | 201710362723.X | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107424905B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | M·比罗夫;E·丹尼索夫;G·奎林;D·格林菲尔德 | 申请（专利权）人： | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 将离子注入到轨道静电阱中。将喷出电位应用于离子存储装置，以致使存储于所述离子存储装置中的离子朝向所述轨道静电阱喷出。将同步注入电位应用于所述轨道静电阱的中心电极以及与所述轨道静电阱相关联的偏转器电极，以致使从所述离子存储装置喷出的所述离子被所述静电阱捕获，以使得所述离子在环绕所述中心电极的轨道上运行。所述喷出电位的应用和所述同步注入电位的应用各者在相应的不同时间处起始，基于待被所述轨道静电阱捕获的离子的所要质荷比值来选择时间差。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 离子 注入 | ||
【主权项】：
1.一种将离子注入到轨道静电阱中的方法，其包括：将喷出电位应用于离子存储装置，以致使存储于所述离子存储装置中的离子朝向所述轨道静电阱喷出；以及将同步注入电位应用于所述轨道静电阱的中心电极以及与所述轨道静电阱相关联的偏转器电极，以致使从所述离子存储装置喷出的所述离子被所述静电阱捕获，以使得所述离子在环绕所述中心电极的轨道上运行；且其中应用所述喷出电位和应用所述同步注入电位的步骤各者在相应的不同时间处起始，基于待被所述轨道静电阱捕获的离子的所要质荷比值来选择时间差。
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