[发明专利]一种反激电路有效

专利信息
申请号: 201710357438.9 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107425726B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 高拥兵;朱建新;陈信强 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请实施例公开了一种反激电路,用于降低DC辅源电路中的MOS管的开关损耗。本申请实施例中反激电路包括:DC辅源电路,AC辅源电路;DC辅源电路包括第一电源接入口、第一原边绕组、第一电容、第一MOS管、第一二极管和第一目标电阻;第一电容和第一MOS管并联之后与第一电源接入口相连;第一MOS管、第一原边绕组以及第一二极管依次串联之后与第一电源接入口相连;第一目标电阻与第一二极管并联之后与第一MOS管串联,然后与第一电源接入口相连;AC辅源电路包括第二电源接入口、第二原边绕组、第二电容、第二MOS管、第二二极管;第二电容与第二MOS管并联之后与第二电源接入口相连;第二MOS管、第二原边绕组以及第二二极管依次串联之后与第二电源接入口相连。
搜索关键词: 一种 电路
【主权项】:
1.一种反激电路,其特征在于,包括:直流DC辅源电路,交流AC辅源电路,所述DC辅源电路与所述AC辅源电路共用变压器;所述DC辅源电路包括第一电源接入口、第一原边绕组、第一电容、第一金属氧化物半导体晶体MOS管、第一二极管和第一目标电阻;所述第一电源接入口包括第一阳极接口和第一阴极接口;所述第一电容与所述第一目标电阻、所述第一MOS管、所述第一原边绕组和所述第一二极管并联,其中,所述第一目标电阻与所述第一二极管并联之后与所述第一MOS管和所述第一原边绕组依次串联,所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的阴极相连、所述第一原边绕组的同名端与所述第一二极管的阳极相连,所述第一MOS管的源极与所述第一阴极接口相连,所述第一原边绕组与所述第一阳极接口相连,所述第一电容的两极分别与所述第一阳极接口和所述第一阴极接口相连;所述AC辅源电路包括第二电源接入口、第二原边绕组、第二电容、第二MOS管、第二二极管和第二目标电阻;所述第二电源接入口包括第二阳极接口和第二阴极接口;所述第二电容与所述第二目标电阻、所述第二MOS管、所述第二原边绕组和所述第二二极管并联,其中,所述第二目标电阻与所述第二二极管并联之后与所述第二MOS管和所述第二原边绕组依次串联,所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的阴极相连、所述第二原边绕组的同名端与所述第二二极管的阳极相连,所述第二MOS管的源极与所述第二阴极接口相连,所述第二原边绕组与所述第二阳极接口相连,所述第二电容的两极分别与所述第二阳极接口和所述第二阴极接口相连。
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