[发明专利]基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管，包括衬底；缓冲层，外延于衬底之上；N型欧姆接触层，外延于缓冲层之上且横截面为“凸”的形状，其下半部分与衬底的形状一致，其上半部分为圆柱状；雪崩倍增层，外延于N型欧姆接触层的上半部分上表面之上，由AlxIn1‑xAsySb1‑y体材料制备，掺杂浓度小于1016cm‑3，x的取值范围为0≤x≤1，y的取值范围为0.08≤y≤1；P型电荷层，外延于雪崩倍增层之上；光吸收层，外延于P型电荷层之上；以及P型欧姆接触层，外延于光吸收层之上。该雪崩光电二极管具有低噪声、高增益‑带宽积的优点，同时有效降低了暗电流，既满足了光电探测器高灵敏度的需求，又实现了能带工程的设计，拓宽了其适用范围。

主权项

一种基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管，包括：衬底(100)；缓冲层(200)，外延于所述衬底(100)之上；N型欧姆接触层(300)，外延于所述缓冲层(200)之上且横截面为“凸”的形状，其下半部分与衬底(100)的形状一致，其上半部分为圆柱状；雪崩倍增层(400)，外延于所述N型欧姆接触层(300)上半部分上表面之上，由AlxIn1‑xAsySb1‑y体材料制备，掺杂浓度小于1016cm‑3，x的取值范围为：0≤x≤1，y的取值范围为：0.08≤y≤1；P型电荷层(500)，外延于所述雪崩倍增层(400)之上；光吸收层(600)，外延于所述P型电荷层(500)之上；以及P型欧姆接触层(700)，外延于所述光吸收层(600)之上。