[发明专利]基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710343759.3 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN107180915A 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 蔡平;陈军武;张坚 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州市一新专利商标事务所有限公司44220 代理人: 滕杰锋
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池及其制备方法。所述电池采用了双层结构的阴极界面层;所述阴极界面层是由阴极界面层1和阴极界面层2叠加组成;所述阴极界面层1的材料为水溶性聚合物,所述阴极界面层2的材料为醇溶性聚合物,所述醇溶性聚合物为侧链带有极性基团、主链单元含芴或咔唑的共轭聚合物。本发明相对于现有的聚合物太阳电池,具有高开路电压、高短路电流和高填充因子,以及更高的光电转换效率,并且采用简单的涂覆成膜方式制备阴极界面层,不需要高温处理,制备过程简单且容易控制,适于柔性器件和大规模工业化生产。
搜索关键词: 基于 双层 结构 阴极 界面 聚合物 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池,包括倒装结构或常规结构的聚合物太阳电池中的阴极界面层,其特征在于:所述阴极界面层是由阴极界面层1和阴极界面层2叠加组成的双层结构;所述阴极界面层1的材料为水溶性聚合物,所述水溶性聚合物分子式具有如下结构:其中:R1=H或CH3,R2=ONa或Z‑为卤素离子,x=0‑0.5,y=0.5‑1,x+y=1,m=1‑6,n=100‑100000;所述阴极界面层2的材料为醇溶性聚合物,所述醇溶性聚合物为分子式侧链带有极性基团、主链单元含芴或咔唑的共轭聚合物。
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