[发明专利]杂化钙钛矿纳米材料在制备全光自旋电子器件中的应用在审
申请号: | 201710340751.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN106970476A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 马红 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | G02F1/095 | 分类号: | G02F1/095;G02F1/35 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人: | 张晓鹏 |
地址: | 250014 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了杂化钙钛矿纳米材料在制备全光自旋电子器件中的应用,解决了现有技术中磁光隔离器磁铁体积大导致器件总体积大,器件制备成本高,以及全光开关的开关速度较慢,难以达到皮秒量级的问题,采用杂化钙钛矿纳米材料制备的磁光隔离器无需外加磁场,磁场由光学取向的方法产生,器件体积小,适合光电器件的集成。制备的全光开关的响应速度为皮秒量级,具有高激光损伤阈值,全光开关可以适用于超强飞秒激光中。更重要的是,制备的全光自旋电子器件利用电子的量子特性,不会受到传统电子器件的缺陷约束。杂化钙钛矿纳米材料的成本低廉,大大降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 杂化钙钛矿 纳米 材料 制备 自旋 电子器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
杂化钙钛矿纳米材料在制备全光自旋电子器件中的应用。
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