[发明专利]一种纳米级尖晶石型掺镍锰酸锂材料制备方法有效
| 申请号： | 201710330440.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106981653B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郭俊明;胡磊;邵苗苗;段玉珍;白红丽;苏长伟;刘晓芳;白玮;段开娇 | 申请（专利权）人： | 云南民族大学 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米级尖晶石型掺镍锰酸锂材料制备方法。该方法包括如下步骤：按照分子式LiNi | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尖晶石 型掺镍锰酸锂 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镍掺杂尖晶石锰酸锂正极材料制备方法，所述镍掺杂尖晶石锰酸锂正极材料的分子式为LiNi
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