[发明专利]一种寄生参数提取方法有效
申请号: | 201710326765.8 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN107169190B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 杜宇 | 申请(专利权)人: | 成都锐开云科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 610041 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及一种寄生参数提取方法,所述方法包括以下步骤:基于建立的马尔科夫转移矩阵库读入与每个子区域的电路模型在同一工艺制程下相对应的模型介质区域的马尔科夫转移矩阵M |
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搜索关键词: | 一种 寄生 参数 提取 方法 | ||
【主权项】:
一种寄生参数提取方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:基于建立的马尔科夫转移矩阵库读入与每个子区域的电路模型在同一工艺制程下相对应的模型介质区域的马尔可夫转移矩阵M0电路;利用模型介质区域的马尔可夫转移矩阵的微分方程,计算同一工艺制程下任一子区域的电路模型的马尔可夫转移矩阵,M1≈M0+Δx∂M0∂x+Δy∂M0∂y+ΔxΔy∂2M0∂x∂y+12Δx2∂2M0∂x2+12Δy2∂2M0∂y2]]>其中,M1为任一子区域的电路模型在相应工艺制程下的马尔可夫转移矩阵,M0为与每个子区域在同一工艺制程下相对应的模型介质区域的马尔可夫转移矩阵,x、y为相应工艺制程的寄生参数,Δx、Δy为任一子区域的电路模型在相应工艺制程下的寄生参数变化量;和基于每个子区域的电路模型的马尔可夫转移矩阵计算出导体间的寄生电容。
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