[发明专利]静电放电保护电路

摘要

本发明提出一种静电放电保护电路，包括硅控整流器、第一二极管与第二二极管。硅控整流器包括了两个双载子接面晶体管。第一双载子接面晶体管的第一极耦接至硅控整流器的正极。第二双载子接面晶体管的第一极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，基极耦接至第一双载子接面晶体管的第二极，第二极耦接至硅控整流器的负极。第一二极管的正极耦接至第一电压，负极耦接至硅控整流器的正极。第二二极管的正极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，负极耦接至硅控整流器的负极。借此，可以提升静电放电保护能力。

主权项

1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：/n一硅控整流保护电路，设置于系统电压与接地电压之间，该硅控整流保护电路包括：/n一硅控整流器，包括：/n一第一双载子接面晶体管，其第一极耦接至该硅控整流器的正极；以及/n一第二双载子接面晶体管，其第一极耦接至该第一双载子接面晶体管的基极，基极耦接至该第一双载子接面晶体管的第二极，第二极耦接至该硅控整流器的负极；/n至少一第一二极管，其正极耦接至一第一电压，负极耦接至该硅控整流器的该正极；以及/n至少一第二二极管，其正极耦接至该第一双载子接面晶体管的该基极，负极耦接至该硅控整流器的该负极；/n一输入接垫；以及/n一中空二极管，设置于该输入接垫与该系统电压之间或该输入接垫与该接地电压之间，/n其中该中空二极管包括第一参杂区与第二参杂区，其中该第一参杂区的参杂类型不同于该第二参杂区的参杂类型，/n其中该第二参杂区围绕该第一参杂区，并且该第一参杂区围绕一中空区域，/n其中该硅控整流器还包括：/n一基板，具有一第一井区与一第二井区，其中该第一井区围绕该第二井区，并且该第一井区的参杂类型不同于该第二井区的参杂类型；/n一第一电极，形成于该第二井区之上，其中该第一电极的参杂类型相同于该第二井区的该参杂类型；/n一第二电极，形成于该第二井区之上并围绕该第一电极，其中该第二电极的参杂类型不同于该第二井区的该参杂类型，并且该第一电极与该第二电极耦接至该硅控整流器的该负极；/n一第三电极，形成于该第一井区之上并围绕该第二电极，其中该第三电极的参杂类型不同于该第一井区的该参杂类型；以及/n一第四电极，形成于该第一井区之上并围绕该第三电极，其中该第四电极的参杂类型相同于该第一井区的该参杂类型，并且该第三电极与该第四电极耦接至该硅控整流器的该正极。/n