[发明专利]一种镀基底表面晶种层的制备方法有效
| 申请号： | 201710316644.5 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107331599B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 何晓俊;吴长青;王威;刘宗林 | 申请（专利权）人： | 安徽长青电子机械(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 239300 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种电镀基底表面晶种层的制备方法，在基底表面涂覆金属盐，再进行还原得到晶种层。本发明采用涂覆的方法将金属盐在基底表面，再进行还原，金属盐的分散液渗透性好，能够均匀分散在基底表面，形成晶粒均匀，表面粗糙，为以后的电镀层提供良好的附着空间，使得电镀层强度高，实施方法简单，能耗少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 表面 晶种层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电镀基底表面晶种层的制备方法，其特征在于，在基底表面涂覆金属盐，再进行还原得到晶种层；/n所述还原采用通氢还原；所述涂覆采用喷涂方法；将金属盐与溶剂、粘合剂配制成分散液，再进行涂覆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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