[发明专利]一种近红外探测器在审
| 申请号： | 201710311942.5 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107093642A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;李志明;陈一仁;孙晓娟;黎大兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/105;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近红外探测器，该近红外探测器包括衬底；生长在所述衬底上的缓冲层；生长在所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；填入在所述吸收层中的氧化铟锡纳米粒子；生长在所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层。该近红外探测器解决了现有技术中近红外探测器存在的问题，具备低暗电流和高量子效率特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种近红外探测器，其特征在于，所述近红外探测器包括：衬底；生长在所述衬底上的缓冲层；生长在所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；填入在所述吸收层中的氧化铟锡纳米粒子；生长在所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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