[发明专利]一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料及其制备的太阳能电池

摘要

本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备1)、NiFe2O4凝胶的制备；2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上，镀膜机的旋转速度为1200转/min，把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列，180℃燥30分钟，将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中，至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中，NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆，经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池，依次包括ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。该电池成本低，制备简单，电池性能好。

主权项

一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,其特征在于，采用以下步骤制备：1)、将适量六水合氯化镍和六水合三氯化铁溶解于去离子水中，搅拌均匀后加热至90℃，调整溶液的pH值为10～14，90℃保温3小时，100℃燥箱中干燥1小时，得到NiFe2O4凝胶；2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上，镀膜机的旋转速度为1200转/min，把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列，180℃燥30分钟，将NiFe2O4凝胶循环重复8～12次滴加至ZnO纳米棒阵列中，至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中，NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆，经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。