[发明专利]一种基板退火装置有效
| 申请号： | 201710286624.8 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170697B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨依辉 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张乐乐 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基板退火装置，其包括：退火室，所述退火室内设置有激光退火装置，对基板表面进行退火处理；所述退火室内具有多个固定所述基板的辐照位置，所述至少一个对所述辐照位置的所述基板进行辐照的所述激光退火装置。本发明的激光退火装置节约占地空间，并在相同空间内提高了基板的传送和加工数量；同时由于传送室、预热室和退火室均可设置有多个腔室，可实现高效退火，提高激光退火产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板退火装置，其包括：退火室，所述退火室内设置有激光退火装置，对基板表面进行退火处理；其特征在于：所述退火室设有旋转装置，所述旋转装置上设有多个固定所述基板的辐照位置，所述辐照位置处对应设有对所述基板进行翻转的翻转装置；至少一个对所述辐照位置的所述基板进行辐照的激光退火装置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
