[发明专利]包括垂直沟道的薄膜晶体管以及使用其的显示设备有效
申请号: | 201710286203.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107369691B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 金志训;梁伸赫;金斗铉;李光洙;郑仁永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/64 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种薄膜晶体管和一种显示设备。所述薄膜晶体管包括基底和设置在基底上的栅电极。栅电极包括中心部和被构造为至少部分地围绕中心部的外围部。薄膜晶体管还包括设置在栅电极下面的栅极绝缘层和与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的第一电极。第一电极使其至少一部分与中心部叠置。薄膜晶体管另外包括设置在第一电极下面的间隔件和与第一电极通过间隔件绝缘的第二电极。第二电极使其至少一部分与外围部叠置。薄膜晶体管还包括连接到第一电极和第二电极并且与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的半导体层。 | ||
搜索关键词: | 包括 垂直 沟道 薄膜晶体管 以及 使用 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种显示设备,所述显示设备包括薄膜晶体管、平坦化层、像素电极、对电极和中间层,所述薄膜晶体管包括:基底;栅电极,包括中心部和被构造为至少部分围绕所述中心部的外围部;栅极绝缘层,设置在所述栅电极下面;第一电极,与所述栅电极通过所述栅极绝缘层绝缘,并使其至少一部分与所述中心部叠置;间隔件,设置在所述第一电极下面;第二电极,与所述第一电极通过所述间隔件绝缘,并使其至少一部分与所述外围部叠置;以及半导体层,连接到所述第一电极和所述第二电极,并与所述栅电极通过所述栅极绝缘层绝缘,其中,所述平坦化层被构造为覆盖所述薄膜晶体管,所述像素电极设置在所述平坦化层上并电连接到所述第一电极或所述第二电极,所述对电极设置在所述像素电极上,所述中间层设置在所述像素电极与所述对电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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