[发明专利]点阵式光电探测器在审
申请号: | 201710284673.8 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN106960884A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 黄晓敏 | 申请(专利权)人: | 黄晓敏 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种点阵式光电探测器,包含绝缘基板、金属层、第一透明导电氧化物层、绝缘层、呈点阵式的孔洞、孔洞内填充的砷化镓材料、第二透明导电氧化物层以及透明聚光凸点层,通过在绝缘层中点阵式的孔洞中设置光探测材料,然后通过明聚光凸点将光聚集到点阵式孔洞上,这样提升了传感器的灵敏度,同时能够充分利用照射到的光并节省原料,属于一种新型的结构的光电探测器,并且结合材料的选择,提高光电探测器的效果。 | ||
搜索关键词: | 阵式 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种点阵式光电探测器,其特征在于,包含:绝缘基板;绝缘基板上的金属层,所述金属层上的第一透明导电氧化物层;所述第一透明导电氧化物层上的绝缘层;所述绝缘层内均匀分布且呈点阵式的孔洞;所述孔洞内填充砷化镓材料,并且填充完成后上表面与绝缘层的上表面齐平;在所述绝缘层和所述砷化镓材料上方形成的第二透明导电氧化物层;所述第二透明导电氧化物层上形成透明聚光凸点层,所述透明聚光凸点层由聚光凸点形成,其对应点阵式孔洞并且将照射的光分别汇聚至各个点阵式孔洞中的砷化镓材料上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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