[发明专利]一种基于反应-扩散理论的预测NBTI长时恢复的解析方法有效
| 申请号： | 201710277237.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107203691B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李小进;曾严;孙亚宾;石艳玲;胡少坚;郭奥 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼;马旸 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于反应‑扩散理论的预测NBTI长时恢复的解析方法，包括：步骤一：获取p‑MOSFET器件的器件参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论，得出描述NBTI长时恢复的一般解析模型；步骤三：基于界面陷阱的快速恢复和H |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 反应 扩散 理论 预测 nbti 恢复 解析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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