[发明专利]一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法有效
| 申请号： | 201710255065.4 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107092746B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张小红;万丽娟;钟小勇 | 申请（专利权）人： | 江西理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 341000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，(1)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型；(2)分析(1)异构忆阻Chua系统混沌特性，验证其是否具有忆阻器本质特征；(3)结合(1)两个忆阻器模型，在经典三阶Chua电路上构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；(4)采用Multisim软件对(3)进行电路仿真，并与(2)数值计算进行比较，验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性。本发明通过数值仿真和电路验证，忆阻模型均具有斜“8”字形的类紧磁滞回线的伏安特性曲线，同时验证了新构建的双异构忆阻Chua电路能够产生混沌行为，具有复杂的非线性动力学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 chua 电路 异构磁控忆阻器 模型 电路设计 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：(S01)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型：其中：分别为两个忆阻器磁通量，q1,q2分别为累计通过两个忆阻器的电荷量，a,b,c,d,e为参数；(S02)分析(S01)异构忆阻Chua系统混沌特性，验证其是否具有忆阻器本质特征；(S03)结合(S01)两个忆阻器模型，在经典三阶Chua电路上构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；(S04)采用Multisim软件对(S03)进行电路仿真，并与(S02)数值计算进行比较，验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性。
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