[发明专利]一种制氢电路和富氢足浴盆有效
| 申请号： | 201710254793.3 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106906482B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李士刚;陆旭东;邱胜 | 申请（专利权）人： | 深圳氢爱天下健康科技控股有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B9/04;C25B15/02;A61H33/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕翔宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆，其中制氢电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 富氢足 浴盆 | ||
【主权项】：
1.一种制氢电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。
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