[发明专利]含有三维存储阵列的处理器有效
| 申请号： | 201710241669.3 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107305594B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张国飙;沈忱 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种含有三维存储（3D‑M）阵列的三维处理器。它采用基于存储的计算（MBC），而非基于逻辑的计算（LBC）。三维处理器含有多个计算单元，每个计算单元都含有一算术逻辑电路（ALC）和一基于3D‑M的查找表（3DM‑LUT）。ALC对3DM‑LUT数据进行算术运算，3DM‑LUT存储在至少一3D‑M阵列中。可编程计算单元可对计算进行现场定制。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 三维 存储 阵列 处理器 | ||
【主权项】：
一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110‑i)，所述计算单元(110‑i)含有一算术逻辑电路(ALC)(180)和一基于三维存储器（3D‑M）的查找表（3DM‑LUT）(170)，其中：所述ALC(180)位于该半导体衬底(0)中并对该3DM‑LUT(170)的数据进行算术运算；所述3DM‑LUT(170)存储在至少一3D‑M阵列(170o…)中，该3D‑M阵列(170o…)堆叠在该ALC(180)上方；所述3D‑M阵列(170o…)和所述ALC(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)实现电耦合。
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