[发明专利]一种PECVD成膜装置及其成膜方法

摘要

本发明公开了一种PECVD成膜装置及其成膜方法。该成膜装置包括反应腔室，设置于所述反应腔室一侧的真空阀门，设置于所述反应腔室下部的支撑加热系统，设置于所述反应腔室上部的喷淋头，控制所述支撑加热系统上表面至所述喷淋头距离的控制杆以及与所述喷淋头连接的进气管，所述支撑加热系统包括加热基座、支撑针以及支撑底座，所述支撑针包括支撑针本体以及设置在支撑针本体内部的加热器,所述支撑针本体包括支撑顶部和支撑杆部，所述加热器的加热主体分部在所述支撑顶部内部。支撑针内的加热器可以对支撑针上方的基板进行有效加热，能够有效提高基板受热均匀性，降低Pin Mura现象，进而有效提高成膜质量。

主权项

一种PECVD成膜装置，包括反应腔室，设置于所述反应腔室一侧的真空阀门，设置于所述反应腔室下部的支撑加热系统，设置于所述反应腔室上部的喷淋头，控制所述支撑加热系统上表面至所述喷淋头距离的控制杆以及与所述喷淋头连接的进气管，所述支撑加热系统包括加热基座、支撑针以及支撑底座，其特征在于，所述支撑针包括支撑针本体以及设置在支撑针本体内部的加热器,所述支撑针本体包括支撑顶部和支撑杆部，所述加热器的加热主体设置在所述支撑顶部内部。