[发明专利]一种改进的四维稀布阵旁瓣抑制方法在审

专利信息
申请号: 201710207801.9 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106980733A 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 窦衡;蔡得泉;魏子棱;马晓双 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06N3/12
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明主要涉及四维天线阵领域,尤其涉及四维稀布阵设计过程中的优化算法和时间调制方式。本发明将提供一种改进的四维稀布阵旁瓣抑制方法,同时对四维稀布阵设计中的优化算法和时间调制方式进行改进,在保持主瓣宽度不变的情况下,获得更低的旁瓣电平和边带电平。
搜索关键词: 一种 改进 四维稀 布阵 抑制 方法
【主权项】:
一种改进的四维稀布阵旁瓣抑制方法,其特征在于,具体步骤如下:S1、根据阵元开关时间和阵元位置的取值范围随机生成一个规模为NP的初始种群,并指定FCRDC‑DE算法的如下控制参数的初始值:变异概率Fg、交叉概率CRg、最大迭代次数Gm,将缩放因子Fg和交叉概率CRg初始化为[0,1]之间的随机数,其中,NP为种群规模,对于单个优化过程,NP为常数;S2、根据代价函数计算初始种群中每个个体的适应值,选出最优个体,其中,上标q表示算法的迭代次数,SLLmax(x)表示最高旁瓣电平值和SLLd表示目标旁瓣电平值,θw(x)表示3dB,θd表示目标主瓣宽度,表示第m边带f0+m·fp的最高电平值,SBLd表示目标边带电平值,w1、w2、w3、w4和w5为加权因子,1≤m≤15且m为自然数,f0为中心频率,fp为调制频率,n表示天线单元的编号,n=0,1,,2,...,N‑1,N为N元四维稀布阵,和分别表示第n个天线单元在第q个时间段的导通和关闭时刻;S3、进入迭代进化过程:判断种群当前的进化速度是否满足给定阈值τ,若满足,则转入S4,直接开始进化,否则转入S9,动态优化控制参数;S4、执行变异操作:将种群中任意两个个体相减求差,乘以第g次迭代的变异概率Fg后再与前一次迭代中的最优个体求和从而生成变异个体其中,rand1是[0,1]之间的随机数,fg‑1和fg‑2分别表示第g‑1次迭代和第g‑2次迭代的适应度函数值,Fl和Fu为常数,Fl表示Fg能够取到的最小值,Fu表示Fg能够调整的最大值,L1、L2表示优化算法的迭代次数,τ2表示适应度函数值的变化量,r≠s≠t≠i;S5、执行交叉操作:根据第g次迭代的交叉概率CRg,随机选择变异个体与父代个体中的基因生成临时子代其中,rand2是[0,1]之间的随机数,L3表示优化算法的迭代次数,CRl和CRu为常数,CRl表示CRg能够取到的最小值,CRu表示CRg能够调整的最大值,τ2表示适应度函数值的变化量,j=1,2,…,D,jrand为在[1,D]内随机取值的整数,为下一代的目标向量,D为问题维数;S6、判断S5所述临时子代中每个基因的取值是否在规定范围,若超出该范围,则通过不断与其取值上下限求平均值至达到规定范围,所述规定范围为经验范围;S7、执行选择操作:对父代个体和临时子代按适应度函数值f(·)进行排序,选择最优的NP个个体作为真正的子代参与下一次迭代;S8、判断是否满足停止条件,若满足,则退出进化过程,保存当前优化结果,否则返回S3,进行下一次迭代;S9、若算法进化速度相对较慢,即连续L2次迭代fg‑1‑fg‑2<τ1或连续L3次迭代fg‑1‑fg‑2<τ2,则根据变异概率Fg=Fl+Furand1或交叉概率CRg=CRl+CRurand2随机更新变异概率和交叉概率,若进化速度非常慢,即连续L1次迭代fg‑1‑fg‑2<τ1,则转入S10,利用爬山算法优化变异概率Fg;S10、设置爬山算法的初始优化步长h;S11、分别以Fg‑h、Fg、Fg+h作为变异概率,其他控制参数保持不变,进行变异、交叉、和选择操作,得到对应变异概率下最优的适应度函数值f(Fg‑h)、f(Fg)和f(Fg+h);S12、比较f(Fg‑h)、f(Fg)、f(Fg+h),将三者中的最优值对应的交叉概率作为下一次迭代的Fg,如果三者中的最优值为f(Fg),则优化步长h缩小为原来的一半,即h=h/2;S13、判断步长h是否满足给定条件,若满足,则返回S4,执行进化过程,否则,返回S11,继续进行循环,其中,所述给定条件为h=0.01λ。
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