[发明专利]碳纳米管阵列材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710192000.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106927449A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 祝立峰;张伟;陈杰 | 申请（专利权）人： | 珠海市三顺中科新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/164 | 分类号： | C01B32/164;C01B32/162;C01B32/17 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 519000 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于碳纳米管材料技术领域，尤其涉及一种碳纳米管阵列材料的制备方法。该方法具体包括如下步骤获得片层结构的催化剂载体；在550‑1500℃条件下，采用化学气相沉积法在所述催化剂载体的片层之间生长初始碳纳米管，其中，所述化学气相沉积法的工作气体包括碳源；将所述初始碳纳米管通过本发明特有的纯化炉进行高温纯化处理得所述碳纳米管阵列材料，其中，所述高温纯化的温度为900‑3000℃。使本方法能连续化生产碳纳米管阵列材料，节约了大量时间和能量，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：获得片层结构的催化剂载体；在550‑1500℃条件下，采用化学气相沉积法在所述催化剂载体的片层之间生长初始碳纳米管，其中，所述化学气相沉积法的工作气体包括碳源；将所述初始碳纳米管通过纯化炉进行高温纯化处理得碳纳米管阵列材料，其中，所述高温纯化的温度为900‑3000℃；所述纯化炉的炉腔内依次设置有用于预存所述初始碳纳米管的第一腔体、用于纯化所述初始碳纳米管的第二腔体和用于冷却纯化后的所述碳纳米管阵列材料的第三腔体，所述第一腔体与外界通过可开关的第一密封隔板隔开，所述第一腔体与所述第二腔体通过可开关的第二密封隔板隔开，所述第二腔体与所述第三腔体通过可开关的第三密封隔板隔开，所述第三腔体与外界通过可开关的第四密封隔板隔开；且所述纯化炉设置有与所述第一腔体、所述第二腔体和所述第三腔体分别对应的第一抽真空装置、第二抽真空装置和第三抽真空装置，所述第一腔体抽至预定的真空度值后再将第一腔体内的所述初始碳纳米管输送至始终保持该预定的真空度值的第二腔体内，所述第三腔体抽真空后冷却纯化后的所述碳纳米管阵列材料。
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