[发明专利]二次电子倍增阴极电子枪有效
申请号: | 201710181320.5 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN107045970B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 刘庆想;董烨;李相强;王少萌;张健穹 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/42 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明针对现有技术电子枪发射电流密度低和寿命短的问题公开了一种二次电子倍增阴极电子枪,包括阴极杆、阳极筒和聚焦磁场产生装置。所述阴极杆由位于同一轴线上的圆柱形金属导体、圆台形金属导体、场致发射端头以及介质端头组成;所述阳极筒由位于同一轴线上依次相连的金属大圆筒、空心金属圆台和金属小圆筒组成;所述阳极筒与阴极杆共轴,所述阴极杆位于阳极筒内,所述介质端头朝向金属小圆筒这边;所述聚焦磁场产生装置包裹在阳极筒外部,用于产生磁场。本发明将场致发射和二次电子倍增发射方式结合起来,在阴极表面上实现单边二次电子倍增。本发明具有工作寿命长和稳定性高的特点,非常适合用于各类大功率微波源中,作为强流电子束的发射源。 | ||
搜索关键词: | 二次电子 倍增 阴极 电子枪 | ||
【主权项】:
1.二次电子倍增阴极电子枪,包括阴极杆、阳极筒和聚焦磁场产生装置,其特征在于:所述阴极杆由位于同一轴线上的圆柱形金属导体、圆台形金属导体、场致发射端头以及介质端头组成;所述圆台形金属导体下底连接在圆柱形金属导体顶端,圆台形金属导体下底直径与圆柱形金属导体直径相等,所述圆台形金属导体上底与场致发射端头连接,所述场致发射端头为圆柱形,其直径与圆台形金属导体上底直径相等,所述介质端头为圆柱形,其直径与场致发射端头直径相等,所述介质端头与场致发射端头连接,所述介质端头柱面和/或顶面覆盖有二次电子倍增材料;所述阳极筒由位于同一轴线上依次相连的金属大圆筒、空心金属圆台和金属小圆筒组成;所述金属大圆筒直径>圆柱形金属导体直径,所述空心金属圆台下底直径与金属大圆筒直径相等,所述空心金属圆台上底直径与金属小圆筒直径相等;所述阳极筒与阴极杆共轴,所述阴极杆位于阳极筒内,所述介质端头朝向金属小圆筒这边;所述聚焦磁场产生装置包裹在阳极筒外部,用于产生磁场,所述磁场为轴对称磁场,其对称轴与阴极杆轴线重合,所述磁场方向与所述介质端头朝向相同。
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