[发明专利]CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器在审
| 申请号： | 201710176151.6 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106680932A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/122 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 集成 高效率 双向 光栅 耦合器 | ||
【主权项】：
CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器：由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，其中均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，两个模式转换器分别作为双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模脊形光波导的连接，可以实现近似无损耗的光传输以及模式转换；一个双介质包层结构：由SiO2和Si3N4两层组成，位于双向光栅耦合器的上方，用于抑制双向光栅耦合器对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片：作为CMOS后工艺的衬底材料，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层：位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器的下包层；一个环形金属对准标记：位于双介质包层结构的上方，环绕在双向光栅耦合器中均匀光栅的周围，用于光栅测试时对单模光纤的对准。
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