[发明专利]磁阻传感器元件之间的电屏蔽有效
| 申请号： | 201710173360.5 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107219475B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | D.哈默施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻传感器元件之间的电屏蔽。实施例涉及一种集成电路（100），所述集成电路包括形成在公共衬底（202）上的铁磁层和非磁性层的磁阻叠层（110）。集成电路包括通过磁阻叠层的第一区段（110‑1）提供的至少第一磁阻传感器元件（130‑1）、通过磁阻叠层的分离的第二区段（110‑2）提供的至少第二磁阻传感器元件（130‑2）以及通过第一和第二区段之间的磁阻叠层的分离的第三区段（110‑3）提供的屏蔽元件（140），其中屏蔽元件（140）可操作为所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件（130‑1；130‑2）之间的电屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 元件 之间 屏蔽 | ||
【主权项】：
集成电路，包括形成在公共衬底上的铁磁层和非磁性层的磁阻叠层，所述集成电路包括：通过磁阻叠层的第一区段提供的至少第一磁阻传感器元件；通过磁阻叠层的分离的第二区段提供的至少第二磁阻传感器元件；以及通过第一和第二区段之间的磁阻叠层的分离的第三区段提供的至少一个屏蔽元件，其中屏蔽元件可操作为所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件之间的电屏蔽。
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