[发明专利]一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法有效

专利信息
申请号: 201710168401.1 申请日: 2017-03-21
公开(公告)号: CN107145805B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 彭永林;张伟伟 申请(专利权)人: 芯海科技(深圳)股份有限公司
主分类号: G06F21/78 分类号: G06F21/78
代理公司: 44324 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王志强
地址: 518067 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法,其特征在于该方法包括如下步骤:步骤1、将需要保护关键信号进行逻辑运算,获取关键信号;步骤2、将关键信号在存储器IP内部再次跟1bit触发器输出的值进行相与运算,在关键信号起作用时相与的结果为1,视为关键信号有效,针对关键信号有效的情况进行擦、写操作。本发明所实现的方法,通过对关键信号进行保护,既可以保护存储器的数据,提高可靠性,也可以用于定位芯片运行不正常甚至死机是芯片问题还是存储器问题。
搜索关键词: 一种 flash mtp 内部 数据 擦写 实现 方法
【主权项】:
1.一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法,其特征在于该方法包括如下步骤:/n步骤1、将需要保护关键信号进行逻辑运算,即跟1bit触发器输出的值相与运算,获取关键信号;/n步骤2、将关键信号在存储器IP内部再次跟1bit触发器输出的值进行相与运算,在触发器输出的值为0时,相与的结果为0,视为关键信号失效,触发器输出的值为1时,在关键信号起作用时相与的结果为1,视为关键信号有效,针对关键信号有效的情况进行擦、写操作;/n步骤1中,在触发器输出的值为0时,相与的结果为0,视为关键信号失效,触发器输出的值为1时,在关键信号起作用时相与的结果为1,视为关键信号有效;/n对于存储器为华虹的FLASH IP,就需要把PROG,ERASE,PE三个关键信号进行保护操作;/n对于存储器为华虹的FLASH IP,防误擦写的具体流程为:/n第1步,将1位D触发器Reg1out输出,与芯片写信号chip_prog,擦除信号chip_erase以及PUMP使能信号chip_pe分别进行逻辑运算;/n第2步,将第一步的逻辑单元输出结果,分别接入FLASH IP的PROG、ERASE、PE端口;即chip_prog的逻辑运算结果接入PROG,端口擦除信号chip_erase的逻辑运算结果接入ERASE端口,使能信号chip_pe的逻辑运算结果接入PE端口;/n第3步,将另一个1位D触发器Reg0out输出至FLASH IP的HVABLE保护端口,此端口为FLASH IP内部需加入的控制信号;/n第4步、将HVABLE控制信号与FLASH IP内部组合逻辑写信号flash_prog,擦除信号flash_erase以及PUMP使能信号flash_pe分别进行逻辑运算。/n
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