[发明专利]一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法

说明书

本发明公开了一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法，其特征在于该方法包括如下步骤：步骤1、将需要保护关键信号进行逻辑运算，获取关键信号；步骤2、将关键信号在存储器IP内部再次跟1bit触发器输出的值进行相与运算，在关键信号起作用时相与的结果为1，视为关键信号有效，针对关键信号有效的情况进行擦、写操作。本发明所实现的方法，通过对关键信号进行保护，既可以保护存储器的数据，提高可靠性，也可以用于定位芯片运行不正常甚至死机是芯片问题还是存储器问题。

技术领域

本发明属于存储器技术领域，特别涉及一种芯片数据防误擦写的方法。

背景技术

现在的芯片存储器应用中，会经常出现存储器数据被误擦写而导致芯片运行不正常甚至死机的严重问题。通常来说，存储器关键信号，很容易受到芯片内部的组合逻辑干扰或者电源不稳定干扰等，导致存储器出现不可控的现象，出现内部数据被误擦写。同时在芯片测试中，遇到存储器数据被误擦写现象，有时难以确定是芯片问题还是存储器问题。

如专利申请200810227986.0公开了一种防止存储器被误擦写的保护方法，该方法通过对FLASH/EEPROM进行擦或写操作之前，先写入一串特定的命令字，只有在命令字都正确的情况下，FLASH/EEPROM才会真正的启动擦写命令，这样也就能有效防止FLASH/EEPROM被误擦写的发生，保证了芯片数据的安全。然而，该方法需要定义特定的命令字，对于不同的FLASH/EEPROM需要针对地进行定义，不能适用大部分FLASH/EEPROM的应用，且容易引起误操作，而且难以确定是芯片问题还是存储器问题。

发明内容

基于此，因此本发明的首要目地是提供一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法，该方法能够解决存储器被误擦写的问题，提高芯片的可靠性，且能够区分芯片问题还是存储器问题。

本发明的另一个目地在于提供一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法，该方法使用简单的两个1位D触发器以及几个与门即可实现，实现简便，成本低廉。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种FLASH/MTP内部数据防误擦写的实现方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

步骤1、将需要保护关键信号进行逻辑运算，即跟1bit触发器输出的值相与运算，获取关键信号；那么即在触发器输出的值为0时，相与的结果为0，视为关键信号失效，触发器输出的值为1时，在关键信号起作用时相与的结果为1，视为关键信号有效；

步骤2、将关键信号在存储器IP内部再次跟1bit触发器输出的值进行相与运算，那么同理，即在触发器输出的值为0时，相与的结果为0，视为关键信号失效，触发器输出的值为1时，在关键信号起作用时相与的结果为1，视为关键信号有效，针对关键信号有效的情况进行擦、写操作。

通常，在默认情况下，触发器的默认值为0，只有在程序真正去操作擦写存储器IP时，才会把触发器置高为1，且2bit触发器都置高为1。所以在环境影响、电压影响芯片的情况，导致擦写信号有误动作，而因为触发器为0，即使会因为环境或电压影响芯片寄存器改变其中1bit寄存器值为1，但因为另外1bit寄存器还是为0，则擦写等关键信号失效，会使得擦写等关键信号失效，不会改写存储器IP数据，实现保护数据的机制，增加了可靠性。

本发明的思路是：为了不让存储器发生数据被误改写，即要确保擦除或者写的动作不会发生，必须要把擦、写相关的关键信号进行保护，防止在芯片运行中对存储器进行不该有的操作。单纯的软件控制，并不能完全实现保护作用，因此需要结合硬件进行改进，才能达到擦、写保护可靠稳定的效果。

进一步，对于存储器为华虹的FLASH IP，就需要把PROG，ERASE，PE三个关键信号进行保护操作。让芯片在不同的方案程序运行中，PROG、ERASE、PE三个关键信号不会随意发生变化，以免导致FLASH内部出现错误的时序操作，误改写数据。