[发明专利]一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710163650.1 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106865497B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王一菁;袁华堂;焦丽芳;张秋雨;黄一可;臧磊 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C01B3/00 | 分类号： | C01B3/00;C01B6/04 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法，利用碱金属氢化物、卤化镁和支撑材料在球磨的条件下原位合成。本发明的技术效果是：本发明通过置换反应在支撑材料表面原位生成氢化镁，在温和条件下制备了具有较低操作温度、较快吸放氢速率的纳米复合储氢材料，解决了以往制备纳米氢化镁材料制备条件苛刻、产品粒径大等问题，提高氢化镁储氢材料的热力学、动力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 纳米 氢化 负载 比表面 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法，其特征在于利用碱金属氢化物、卤化镁和支撑材料在球磨的条件下原位合成，具体步骤如下：1)在氩气或氮气气氛下，将氯化镁与氢化锂以1:1‑3的摩尔比混合，得到混合物放入球磨罐中，然后加入支撑材料，支撑材料的加入量为混合物质量的5‑25％，混合均匀；2)在0.5MPa氢压下，以200‑600rpm的转速下球磨10‑60h；3)在氩气或氮气气氛下，用乙醚或四氢呋喃洗涤3次，离心或过滤分离，对不溶物在50Pa以下真空干燥或40‑80℃温度下干燥至质量不再下降，得到目标产物，原位生长的氢化镁为球型或椭球型，粒径为2‑8nm。
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