[发明专利]一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法有效
申请号: | 201710163650.1 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN106865497B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王一菁;袁华堂;焦丽芳;张秋雨;黄一可;臧磊 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C01B3/00 | 分类号: | C01B3/00;C01B6/04 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 生长 纳米 氢化 负载 比表面 材料 制备 方法 | ||
1.一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法,其特征在于利用碱金属氢化物、卤化镁和支撑材料在球磨的条件下原位合成,具体步骤如下:
1)在氩气或氮气气氛下,将氯化镁与氢化锂以1:1-3的摩尔比混合,得到混合物放入球磨罐中,然后加入支撑材料,支撑材料的加入量为混合物质量的5-25%,混合均匀;
2)在0.5MPa氢压下,以200-600rpm的转速下球磨10-60h;
3)在氩气或氮气气氛下,用乙醚或四氢呋喃洗涤3次,离心或过滤分离,对不溶物在50Pa以下真空干燥或40-80℃温度下干燥至质量不再下降,得到目标产物,原位生长的氢化镁为球型或椭球型,粒径为2-8nm。
2.根据权利要求1所述原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法,其特征在于:所述支撑材料为石墨烯、椰壳炭或工业废料粉煤灰。
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