[发明专利]一种IBC电池的金属化方法及其电池和组件、系统

摘要

本发明涉及一种IBC电池的金属化方法及其电池和组件、系统。本发明的IBC电池的金属化方法，包括在N型晶体硅基体的背表面钝化层上选择性开孔、使用掩膜法在背表面选择性的沉积铝从而形成互相绝缘的p+铝电极和n+铝电极。其有益效果是在金属化过程中，用点状接触取代线条状接触，减少了金属电极与掺杂硅界面处的高复合；使用低温工艺形成铝电极，不会给掺杂硅表面带来破坏；铝与掺杂硅之间有优异的金属半导体接触；p+铝电极和n+铝电极透过掩膜一次性沉积完成，简化了制作工艺；由此所制电池具有更高的开路电压、填充因子和转换效率。

主权项

一种IBC电池的金属化方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、在N型晶体硅基体背表面n+掺杂区域的背表面钝化层上开设贯穿钝化层的n+孔状阵列，在N型晶体硅基体背表面p+掺杂区域的背表面钝化层上开设贯穿钝化层的p+孔状阵列；(2)、在N型晶体硅基体背表面的钝化层上设置用来沉积电极的掩膜，在所述掩膜上设置与所述n+掺杂区域对应的n+开口、与所述p+掺杂区域对应的p+开口；(3)、通过所述掩膜在N型晶体硅基体的背表面沉积互相电绝缘的n+铝电极和p+铝电极，得到IBC电池。