[发明专利]基于三维印录存储器的可编程门阵列有效

专利信息
申请号: 201710126062.0 申请日: 2017-03-05
公开(公告)号: CN107154797B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 杭州海存信息技术有限公司
主分类号: H03K19/17704 分类号: H03K19/17704
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310051 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提出一种基于三维印录存储器(3D‑P)的可编程门阵列。它含有一可编程计算单元阵列、一个可编程逻辑单元阵列和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有多个3D‑P阵列,这些3D‑P阵列存储一基本数学函数库的查找表(LUT)。
搜索关键词: 基于 三维 存储器 可编程 门阵列
【主权项】:
一种选择性地实现第一或第二数学函数的可编程计算单元(100),其特征在于含有:一含有晶体管的半导体衬底(0);堆叠在该半导体衬底(0)上的第一和第二三维印录存储器(3D‑P)阵列(110, 120),该第一3D‑P阵列(110)存储该第一数学函数的至少部分查找表(LUT A),该第二3D‑P阵列(120)存储该第二数学函数的至少部分查找表(LUT B);至少一与该第一和第二3D‑P阵列耦合的可编程连接(150或160),基于该可编程连接的设置信号(125),该可编程计算单元(200)选择性地实现该第一或第二数学函数。
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