[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法有效
申请号: | 201710122960.9 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106876496B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池,依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,所述背银电极、背铝栅线以第一预设夹角相交,10°<第一预设夹角<90°;对背面钝化层通过激光开槽形成第一激光开槽区,所述第一激光开槽区设于背铝栅线的下方,所述背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连,所述背铝栅线的四周设有铝栅外框,所述铝栅外框与背铝栅线、背银电极相连接。采用本发明,结构简单,成本较低、易于推广、光电转换效率高。 | ||
搜索关键词: | perc 双面 太阳能电池 及其 组件 系统 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;(2)对硅片进行扩散,形成N型发射极;(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃和周边PN结;(4)在硅片背面沉积三氧化二铝膜;(5)在硅片背面沉积氮化硅膜;(6)在硅片正面沉积氮化硅膜;(7)对硅片背面激光开槽,形成第一激光开槽区,所述第一激光开槽区包括多组第一激光开槽单元,每一组第一激光开槽单元包括一个或多个第一激光开槽体;(8)在所述硅片背面印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面印刷铝浆,得到背铝栅线,所述背铝栅线成大于10°小于90°角度的印刷在第一激光开槽区上,使得背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连,所述背银电极、背铝栅线以第一预设夹角相交,10°<第一预设夹角<90°;(10)在所述硅片背面沿着背铝栅线的四周印刷铝浆,得到铝栅外框;(11)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(12)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(13)对硅片进行抗LID退火。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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