[发明专利]用于制备紫外LED芯片的方法

摘要

本发明公开了一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片。本发明用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，能提高紫外LED的性能。

主权项

1.用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；其特征在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：34～41份聚苯乙烯，28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，2～4份碳化硅，3～5份酒石酸钾钠，2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2～5份二苯基丁二酮，1～4份苯三唑，2～3份纳米氧化铈，6～8份乙二醇单硬脂酸酯，2～7份硼酸钙，1～4份四丁基锡，1～2份二茂铁，2～3份三聚磷酸钠，4～6份α‑烯基磺酸钠。