[发明专利]一种高光输出硅酸铋闪烁晶体及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta⁵⁺，Ta⁵⁺以Ta₂O₅的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta⁵⁺的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。

主权项

1.一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，其特征在于，所述硅酸铋晶体掺有Ta⁵⁺，Ta⁵⁺以Ta₂O₅的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol％/mol，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi₄Si₃O₁₂。