[发明专利]锗酸铋单晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201710082989.9 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106757353A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘运连;朱刘;狄聚青;胡智向;文崇斌 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法，属于晶体生长领域。本发明采用可旋转多坩埚技术与垂直梯度凝固法相结合的方法生长锗酸铋单晶体。本发明提供的方法，改善了晶体生长界面温度场的径向对称性，提高锗酸铋单晶体的生长质量，同时有利于组分扩散，促进组分均匀分布，加快了锗酸铋单晶体的生长速度。本发明程序控制程度高，温度精确度高，波动小，重复性好，产量大，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 锗酸铋 单晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种锗酸铋单晶体的生长方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将籽晶置于坩埚底部，再将锗酸铋料饼置于籽晶上面，密封坩埚，再将坩埚置于设有可旋转多坩埚支撑装置的垂直梯度凝固炉内；S2：开启加热程序，垂直梯度凝固炉内形成一高温区和一低温区，同时开启旋转系统，坩埚的转速恒定为18~24r/min，调整坩埚高度，使锗酸铋料饼与籽晶接触处的温度为1050℃；S3：加热程序结束后，坩埚继续保持S2中的转速，同时启动第一降温程序，降温结束后，保温；S4：S3保温结束后，开启第二降温程序，使坩埚温度降至室温，启动升降装置，使坩埚下降，取出锗酸铋单晶体。
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