[发明专利]高电容值金属隔离金属电容在审
| 申请号： | 201710078632.3 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108269782A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 姜序;施能泰;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属隔离金属电容，包含一衬底，其上设有一第一介电层；一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；一第二介电层，围绕所述三维金属结构；一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维金属结构 介电层 电极 电容介电层 隔离金属 电容 金属盘 金属 鳍状结构 高电容 上表面 下电极 衬底 埋设 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种金属隔离金属电容，其特征在于，包含：一衬底，其上设有一第一介电层；一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；一第二介电层，围绕所述三维金属结构；一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。
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