[发明专利]硅基Ge光探测器阵列及其制作方法

摘要

本发明提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。发明通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。

主权项

一种硅基Ge光探测器阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：步骤1)，提供一硅衬底，采用离子注入工艺于所述硅衬底中形成N++型掺杂层；步骤2)，于所述N++型掺杂层表面外延形成本征Ge层；步骤3)，采用离子注入工艺于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；步骤4)，于各P+型掺杂区之间的本征Ge层中形成N+型掺杂区，且各P+型掺杂区及各N+型掺杂区之间被本征Ge层隔开；步骤5)，于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；步骤6)，于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。