[发明专利]一种石斛树干培植方法在审
申请号: | 201710064675.6 | 申请日: | 2017-02-05 |
公开(公告)号: | CN107047256A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 汪国民 | 申请(专利权)人: | 安徽中升生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00;A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237200 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种石斛树干培植方法,涉及中药石斛的培育繁殖技术领域。选择树冠茂盛且表面有纵裂沟的树种为附生树,树干上切去树皮,在切割部位铺设一层辅料;将经组培的石斛种苗附着在去皮的树干处,然后采用布将树干包裹;定期对树干去皮位置喷洒营养液,喷洒营养液后3‑5天喷洒一次水,然后隔3‑5天再次喷洒营养液,直至种植后一年;自种植后第二年开始,定期做好防虫措施,并使温湿度决定是否补充水分。本发明通过合理选择培植步骤及控制参数,使得培植成本得到显著降低,使石斛的品质得到保证,不会因人工栽培导致品质不如野生品种。同时,本发明的培植方法,可以显著提高单位面积,并且能够显著缩短培植时间,使种植户能够快速收益。 | ||
搜索关键词: | 一种 石斛 树干 培植 方法 | ||
【主权项】:
一种石斛树干培植方法,其特征在于:步骤如下:a、石斛种苗的组培依次经过外植体处理、诱导培养、继代增殖、生根培养、组培苗过渡基质培养、生根移栽步骤得到种苗;b、附生树的选择选择树冠茂盛且表面有纵裂沟的树种为附生树,树干上每隔10cm切去树皮,使切割部位的深度控制为3cm,在切割部位铺设一层厚度为1cm的辅料;辅料组成为:25wt%的草泥炭、20wt%的麦麸、15wt%的石膏粉和15wt%的农作物秸秆、15wt%的红土、3wt%的硫酸钾、4wt%的甲胺磷和3wt%的氮肥;c、树干附着将石斛种苗附着在去皮的树干处,然后采用布将树干包裹;d、定期喷洒营养液及补水定期对树干去皮位置喷洒营养液,喷洒营养液后3‑5天喷洒一次水,然后隔3‑5天再次喷洒营养液,直至种植后一年;营养液组成为:15wt%的氮肥、12wt%的磷肥、16wt%的钾肥、12wt%的尿素、12wt%的过硫酸铵、13wt%的柠檬酸铁铵、11wt%的EDTA二钠和9%的葡萄糖;e、后期管理自种植后第二年开始,定期做好防虫措施,并使温湿度决定是否补充水分。
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