[发明专利]一种基于NOR FLASH阵列的卷积运算方法有效

专利信息
申请号: 201710063036.8 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN106843809B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 康晋锋;黄鹏;韩润泽;刘晓彦 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30;G06F7/523;G06F9/38;G06F17/15
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于NOR FLASH存储结构实现卷积运算的方法,所述NOR FLASH存储结构包括多个NOR flash单元组成的阵列,卷积运算的方法包括以下步骤:将卷积核矩阵的元素存储到NOR flash单元阵列中;输入矩阵的元素转换成电压施加在NOR flash单元的栅端;在NOR flash单元的源端施加一个驱动电压,通过NOR flash单元的漏端收集每一列的电流值,得到卷积运算结果。
搜索关键词: 一种 基于 norflash 阵列 卷积 运算 方法
【主权项】:
1.一种基于NOR FLASH阵列的卷积运算方法,所述NOR FLASH阵列包括多个NOR flash单元组成的二维阵列,NOR FLASH阵列还包括与NOR flash单元栅端相连的多条字线、与NOR flash单元源端相连的多条源线和与NOR flash单元漏端相连的多条位线,包括以下步骤:S1:将卷积核矩阵元素存储到NOR flash单元中;S2:将输入矩阵一维展开,以将输入矩阵的各个元素转换成电压通过多条字线施加在NOR flash单元的栅端,同时通过多条源线在NOR flash单元的源端施加一个驱动电压,NOR flash单元的漏端通过多条位线输出电流;S3:由NOR flash单元漏端通过多条位线输出的电流得到卷积运算结果。
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