[发明专利]基于全光原子磁力检测的脑磁图系统及获取方法有效
| 申请号： | 201710058435.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106859599B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 高秀敏;曾祥堉;詹秋芳;张荣福 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | A61B5/00 | 分类号： | A61B5/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于全光原子磁力检测的脑磁图系统及获取方法，在柔性头戴沉底平面上设置全光原子磁力传感器阵列；将带有全光原子磁力传感器阵列的柔性头戴沉底沿被检测头部进行弯曲构成头盔形状，在头部已知位置设置至少两个参考磁场源；将参考磁场源信号传递给空间坐标实时分析模块进行处理得到实时空间参考坐标；同时，将脑磁场信息后传到头外部磁场分析模块处理；脑磁图合成模块进行实时位置定位和多次检测信息融合，得到高信噪比脑磁场分布。具有方法简单、结构定位要求低、便于实现、灵敏度高、实时性好、高可靠性、需要空间小、灵活性强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 原子 磁力 检测 脑磁图 系统 获取 方法 | ||
【主权项】：
一种基于全光原子磁力检测的脑磁图系统，包括柔性头戴沉底（1）、全光原子磁力传感器阵列（2），其特征在于：所述柔性头戴沉底（1）平面上设置全光原子磁力传感器阵列（2），带有全光原子磁力传感器阵列（2）的柔性头戴沉底（1）沿被检测头部进行弯曲构成头盔形状，全光原子磁力传感器阵列（2）分布在脑部左右两侧，全光原子磁力传感器阵列（2）由多个全光原子磁力传感器构成，每个全光原子磁力传感器在柔性头戴沉底（1）放置位置和取向方位可调，柔性头戴沉底（1）另一面设置有磁屏蔽层（3）；在头部已知位置设置至少两个参考磁场源（4），所述全光原子磁力传感器阵列（2）分别连接空间坐标实时分析模块（5）和头外部磁场分析模块（6），空间坐标实时分析模块（5）和头外部磁场分析模块（6）连接脑磁图合成模块（7）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710058435.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
