[发明专利]一种基于共栅cascode低噪声放大器的增益调节结构

摘要

本发明公开了一种基于共栅cascode低噪声放大器的增益调节结构，包括粗调和细调两种模式，粗调模式通过减少cascode管NM2跨导的同时并联额外负载电阻的方式，减少从cascode管NM2源极看进去的等效负载阻抗来调节增益，细调模式通过并联额外负载电阻的方式，减少从cascode管NM2源极看进去的等效负载阻抗来调节增益。本发明采用细调通过使用耦合电容，构造了虚拟地，调节范围更大；另外由于到电源隔直电容的作用，细调支路几乎没有直流电流流过，同时粗调级将原cascode管中的部分电流抽取过来为己所用，两种调节方法均不会另外增加功耗。

主权项

1.一种基于共栅cascode低噪声放大器的增益调节电路，其特征在于：包括粗调级和细调级，粗调级通过减少cascode管NM2跨导的同时并联额外负载电阻的方式，减少从cascode管NM2源极看进去的等效负载阻抗来调节增益，细调级通过并联额外负载电阻的方式，减少从cascode管NM2源极看进去的等效负载阻抗来调节增益；所述共栅cascode低噪声放大器包括电感L1、负载电感L2、电容C1、负载电容C2、NMOS输入管NM1和cascode管NM2，负载电容C2的负端接电源VDD，负载电容C2的正端接cascode管NM2的漏极，cascode管NM2的源极接NMOS输入管NM1的漏极，NMOS输入管NM1的源极接电容C1的正端，电容C1的负端接地，负载电感L2的正端接负载电容C2的正端，负载电感L2的负端接负载电容C2的负端，电感L1的正端接输入信号IN，电感L1的负端接电容C1的正端，cascode管NM2的栅极接偏置电压VB2，NMOS输入管NM1的栅极接偏置电压VB1；所述粗调级是在NMOS输入管NM1的漏极直接并联一组NMOS管阵列实现；通过增加的NMOS管阵列减少cascode管NM2中流过的电流，并同时将该减少的电流吸收到增加的NMOS管阵列中，这在减少cascode管NM2跨导的同时并联了额外的负载电阻；所述细调级包括细调NMOS管NM4、耦合电容C3、隔直电容C4和负载NMOS管NM3，隔直电容C4的负端接电源VDD，隔直电容C4的正端接细调NMOS管NM4的漏极，细调NMOS管NM4的源极接负载NMOS管NM3漏极，负载NMOS管NM3的源极接地，耦合电容C3的负端接细调NMOS管NM4的源极，耦合电容C3的正端接NMOS输入管NM1的漏极，负载NMOS管NM3的栅极接偏置电压VB3，细调NMOS管NM4的栅极接细调信号CG。