[发明专利]一种射频低噪声放大器及其实现方法有效
| 申请号： | 201710044598.8 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106817094B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘杭吉;张钊锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频低噪声放大器及其实现方法，该射频低噪声放大器包括：输入级电路，采用互补衍生叠加电路结构对输入信号进行放大，利用该结构的PMOS管与NMOS管不同电流特性来提高输入级信号的线性度，得到经过线性放大的第一射频输出；滤波电路，连接于输入级电路与输出级电路之间，用于实现该输入级电路的第一射频输出和输出级电路的第二射频输入的匹配和噪声的滤除；输出级电路，采用单端衍生叠加电路，将经过该滤波电路处理过的该输入级电路的第一射频输出进一步放大；反馈回路，把高线性的该输出级电路的第二射频输出和直流信号反馈回该输入级电路的输入端，本发明实现了一种低功耗低噪声高线性的射频低噪声放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 低噪声放大器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频低噪声放大器，包括：输入级电路，采用互补衍生叠加的电路结构对输入信号Input1进行放大，充分利用互补衍生叠加电路结构的PMOS管与NMOS管不同电流特性来提高输入级信号的线性度，从而得到经过线性放大的第一射频输出Output1，该输入级电路包括第一PMOS管、第三NMOS管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容、第一电阻、第三电阻以及第五电阻，该输入信号Input1连接至该第一PMOS管和第三NMOS管的栅极、第一电容和第三电容的的一端以及第一电阻、第三电阻和第五电阻的一端，该第一电容的另一端接电源电压，该第三电容的另一端接地，该第一电阻的另一端接第一偏置电压，该第三电阻的另一端接第三偏置电压，该第五电阻的另一端与该第一PMOS管、第三NMOS管的漏极组成第一射频输出Output1节点，该第一PMOS管的源极通过第一电感连接电源电压，该第三NMOS管的源极通过第二电感接地；滤波电路，连接于该输入级电路与输出级电路之间，用于实现该输入级电路的第一射频输出Output1和输出级电路的第二射频输入Input2的匹配和噪声的滤除；输出级电路，采用单端衍生叠加电路，将经过该滤波电路处理过的该输入级电路的第一射频输出Output1进一步放大；反馈回路，用于把高线性的该输出级电路的第二射频输出Output2和直流信号反馈回该输入级电路的输入端Input1。
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