[发明专利]水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法有效
| 申请号： | 201710035410.3 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106698518B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吕弋;徐博彬;宋红杰 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下：（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 法制 硫醇 修饰 二硫化钼 方法 | ||
【主权项】：
1.一种水热法制备硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的方法，该方法主要包括以下步骤：（1）水溶性前驱体的制备：将一定量的钼源溶解在水溶性硫代羧酸溶液中，并加热至100℃恒温1小时，调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备：将一定量的硫源与上述溶液混合，转移至高温反应釜中在220℃下反应20~40小时；（3）纯化：将反应得到的溶液在透析袋中透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼纳米片层材料；所述钼源为乙酰丙酮钼，所述硫源为硫化钠，所述硫代羧酸为硫代乙醇酸或硫代苹果酸，在前驱体制备过程中充当保护剂；制备得到的硫醇修饰的二硫化钼纳米片层材料具有良好的水溶分散性能，在紫外灯照射下，可观察到蓝色荧光。
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